二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術(shù)
（一）光伏制造企業(yè)應(yīng)采用工藝先進(jìn)、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。
（二）光伏制造企業(yè)應(yīng)具備以下條件：在中華人民共和國(guó)境內(nèi)依法注冊(cè)成立，具有獨(dú)立法人資格；具有太陽(yáng)能光伏產(chǎn)品獨(dú)立生產(chǎn)、供應(yīng)和售后服務(wù)能力；具有省級(jí)以上獨(dú)立研發(fā)機(jī)構(gòu)、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)，每年用于研發(fā)及工藝改進(jìn)的費(fèi)用不低于總銷(xiāo)售額的3%且不少于1000萬(wàn)元人民幣；申報(bào)符合規(guī)范名單時(shí)上一年實(shí)際產(chǎn)量不低于本條第（三）款產(chǎn)能要求的50%。
（三）光伏制造企業(yè)按產(chǎn)品類(lèi)型應(yīng)分別滿(mǎn)足以下要求：
1.多晶硅項(xiàng)目每期規(guī)模不低于3000噸/年；
2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸；
3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸；
4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬(wàn)片；
5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp；
6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp；
7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp；
8.逆變器年產(chǎn)能不低于200MWp。
（四）現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿(mǎn)足以下要求：
1.多晶硅滿(mǎn)足《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅》（GB/T25074）1級(jí)品的要求；
2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2μs，碳、氧含量分別小于16和14PPMA；單晶硅片少子壽命大于10μs，碳、氧含量分別小于2和18PPMA；
3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于17.5%和18.5%；
4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于15.5%和16%；
5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于8%、11%、11%、10%。
6.含變壓器型的并網(wǎng)光伏逆變器中國(guó)加權(quán)效率不得低于96%，不含變壓器型的并網(wǎng)光伏逆變器中國(guó)加權(quán)效率不得低于98%。
（五）新建和改擴(kuò)建企業(yè)及項(xiàng)目產(chǎn)品應(yīng)滿(mǎn)足以下要求：
1.多晶硅滿(mǎn)足《硅多晶》（GB/T12963）2級(jí)品以上要求；
2.多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，碳、氧含量分別小于1和16PPMA；
3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18.5%和20%；
4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于16.5%和17.5%；
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于12%、13%、13%、12%。
（六）多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在1年內(nèi)分別不高于2.5%和3%，25年內(nèi)不高于20%；薄膜電池組件衰減率在1年內(nèi)不高于5%，25年內(nèi)不高于20%。
