二、生產規模和工藝技術
?。ㄒ唬┕夥圃炱髽I應采用工藝先進、節能環保、產品質量好、生產成本低的生產技術和設備。
（二）光伏制造企業應具備以下條件：在中華人民共和國境內依法注冊成立，具有獨立法人資格；具有太陽能光伏產品獨立生產、供應和售后服務能力；具有省級以上獨立研發機構、技術中心或高新技術企業資質，每年用于研發及工藝改進的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣；申報符合規范名單時上一年實際產量不低于本條第（三）款產能要求的50%。
?。ㄈ┕夥圃炱髽I按產品類型應分別滿足以下要求：
1.多晶硅項目每期規模不低于3000噸/年；
2.硅錠年產能不低于1000噸；
3.硅棒年產能不低于1000噸；
4.硅片年產能不低于5000萬片；
5.晶硅電池年產能不低于200MWp；
6.晶硅電池組件年產能不低于200MWp；
7.薄膜電池組件年產能不低于50MWp；
8.逆變器年產能不低于200MWp。
?。ㄋ模┈F有光伏制造企業及項目產品應滿足以下要求：
1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》（GB/T25074）1級品的要求；
2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2μs，碳、氧含量分別小于16和14PPMA；單晶硅片少子壽命大于10μs，碳、氧含量分別小于2和18PPMA；
3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于17.5%和18.5%；
4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉換效率分別不低于15.5%和16%；
5.硅基、銅銦鎵硒（CIGS）、碲化鎘（CdTe）及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于8%、11%、11%、10%。
6.含變壓器型的并網光伏逆變器中國加權效率不得低于96%，不含變壓器型的并網光伏逆變器中國加權效率不得低于98%。
?。ㄎ澹┬陆ê透臄U建企業及項目產品應滿足以下要求：
1.多晶硅滿足《硅多晶》（GB/T12963）2級品以上要求；
2.多晶硅片（含準單晶硅片）少子壽命大于2.5μs，碳、氧含量分別小于8和6PPMA；單晶硅片少子壽命大于11μs，碳、氧含量分別小于1和16PPMA；
3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于18.5%和20%；
4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉換效率分別不低于16.5%和17.5%；
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于12%、13%、13%、12%。
?。┒嗑Ч桦姵亟M件和單晶硅電池組件衰減率在1年內分別不高于2.5%和3%，25年內不高于20%；薄膜電池組件衰減率在1年內不高于5%，25年內不高于20%。
